優(yōu)化紅外薄膜鍍膜工藝 硫化鋅多層膜缺陷密度顯著降低

發(fā)布時(shí)間:2017-10-09 來(lái)源: 光電技術(shù)研究所 專題: 材料研發(fā) 打印

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  中國(guó)科學(xué)院光電技術(shù)研究所薄膜光學(xué)技術(shù)研究室在低缺陷密度紅外薄膜制備工藝方面取得進(jìn)展,通過(guò)優(yōu)化紅外薄膜的鍍膜工藝,硫化鋅/氟化鐿多層膜的缺陷密度顯著降低。

  紅外薄膜的缺陷是影響紅外薄膜光學(xué)性能和其穩(wěn)定性的重要因素,受到國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究人員的關(guān)注。光電所研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)優(yōu)化沉積沉積速率、沉積溫度和沉積方式,顯著降低了多層紅外薄膜的缺陷:多層紅外薄膜的缺陷密度降低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。采用低缺陷密度工藝參數(shù)制備的164nm高反射膜,反射率大于99.9%,吸收小于100ppm。

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